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Análise da eficiência de moduladores ASK implementados em tecnologia CMOS de 130 nanômetros, a partir da variação das dimensões de transistores

dc.contributor.advisorBrito Filho, Francisco de Assis
dc.contributor.advisormailfrancisco.brito@ufersa.edu.br
dc.contributor.authorGuedes, Maria Vitória Dias
dc.contributor.referee1Brito Filho, Francisco de Assis
dc.contributor.referee2Maia, Hugo Michel Câmara de Azevedo
dc.contributor.referee3Silva, Lincoln Alexandre Paz
dc.coverage.spatialCaraúbas
dc.date.accessioned2025-04-07T16:30:41Z
dc.date.available2025-04-07T16:30:41Z
dc.date.issued2025-03-21
dc.description.abstractCom a ascensão da tecnologia e o avanço da comunicação entre dispositivos, a internet das coisas (Internet of Things - IoT) tem tornado possível a conexão de maneira precisa em diversas áreas do cotidiano, como: equipamentos médicos, carros autônomos, automação industrial, casas inteligentes, dentre outras. Como consequência do avanço tecnológico, a crescente geração de dados a serem armazenados cresce de forma proporcional, necessitando de processamento e amostragem cada vez mais eficientes, a fim de acompanhar de forma eficaz esse crescimento. Para que a comunicação entre os dispositivos seja possível, além dos processos de codificação, multiplexação e filtragem, ocorrem operações de modulações de sinal para que sejam transmitidas as informações e, uma das técnicas utilizadas para realizar essas operações é a modulação ASK (Amplitude Shitf-Keying), que consiste em um chaveamento por deslocamento de amplitude que irá converter um sinal digital em um sinal analógico. Para esse tipo de modulador, existem algumas topologias que constroem o circuito, utilizando diversos transistores, capacitores, resistores e até mesmo CI’s, entretanto, com o advento da tecnologia, urge dispositivos que sejam portáteis, requerendo topologias simples. Portanto, o trabalho apresenta uma análise acerca da influência da largura do canal (W) e o comprimento do canal (l) de transistores, em tecnologia CMOS 130nm, no comportamento do sinal de um modulador ASK, atuando na banda de 2,4GHz, utilizando também de ferramentas open source, com o uso do XSchem e Ngspice para realizar simulações variando os parâmetros do transistor. Os resultados apontaram no sentido de que o sinal é afetado a partir da alteração dos parâmetros do transistor, em que para 𝑤=6𝜇𝑚 𝑒 𝑙=0,15𝜇𝑚, quando comparado com as demais simulações, em que quanto maior o valor da largura de canal do transistor, maior a eficiência e a otimização do sinal amplificado. Todos esses acontecimentos têm como consequência impor limites na margem de valores selecionados para análise do canal, que podem vir a dificultar a modulação e o envio dos sinais.
dc.description.abstract2With the rise of technology and the advancement of communication between devices, the Internet of Things (IoT) has enabled precise connectivity in various areas of daily life, such as medical equipment, autonomous vehicles, industrial automation, smart homes, among others. As a consequence of technological progress, the increasing generation of data to be stored grows proportionally, requiring more efficient processing and sampling to effectively keep up with this growth. For communication between devices to be possible, signal modulation operations are performed to transmit information. One of the techniques used for these operations is Amplitude Shift Keying (ASK) modulation, which consists of amplitude shift keying that converts a digital signal into an analog signal. For this type of modulator, there are several topologies used in its construction, incorporating different transistors, capacitors, resistors, and even integrated circuits (ICs). However, with the advancement of technology, there is an increasing demand for portable devices, requiring simpler topologies. Therefore, this study presents an investigation into the influence of channel width (W) and channel length (L) of transistors, in 130nm CMOS technology, on the signal behavior of an ASK modulator operating in the 2.4GHz band. Additionally, it contributes to the use of open-source tools by employing XSchem and Ngspice to perform simulations while varying transistor parameters. The results pointed out that the signal is affected by the changes in the transistor parameters, where for 𝑤=6𝜇𝑚 𝑒 𝑙=0,15𝜇𝑚, compared to other simulations, the larger the channel width of the transistor, the greater the efficiency and optimization of the amplified signal. All these events have the consequence of imposing limits on the range of values selected for channel analysis, which can complicate the modulation and transmission of signals.
dc.description.physical37 f.
dc.format.mimetypepdf
dc.identifier.bibliographicCitationGUEDES, Maria Vitória Dias. Análise da eficiência de moduladores ASK implementados em tecnologia CMOS de 130 nanômetros, a partir da variação das dimensões de transistores. 2025. 37 f. Trabalho de Conclusão de Curso (Bacharel em Engenharia Elétrica), Departamento de Engenharias, Universidade Federal Rural do Semi-Árido, Caraúbas - RN, 2025.
dc.identifier.urihttps://repositorio.ufersa.edu.br/handle/prefix/12942
dc.language.isopt_BR
dc.publisher.centerCentro Multidisciplinar de Caraúbas - CMC
dc.publisher.countryBrasil
dc.publisher.initialsUFERSA
dc.publisher.institutionUniversidade Federal Rural do Semi-Árido
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.holderUFERSA
dc.rights.licenseAttribution-ShareAlike 3.0 Brazilen
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-sa/3.0/br/
dc.subject.cnpqENGENHARIAS::ENGENHARIA ELETRICA
dc.subject.keywordModulador ASK
dc.subject.keywordCMOS
dc.subject.keywordIoT
dc.subject.keywordASK modulator
dc.subject.keywordCMOS
dc.subject.keywordIoT
dc.titleAnálise da eficiência de moduladores ASK implementados em tecnologia CMOS de 130 nanômetros, a partir da variação das dimensões de transistores
dc.title.alternativeAnalysis of the efficiency of ASK modulators implemented in 130-nanometer CMOS technology, based on the variation of transistor dimensions
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/bachelorThesis

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