Este trabalho teve por objetivo a produção de substrato dielétrico de estrutura silenita, baseado em bismuto e cério, para dispositivos de comunicação. O sistema bismuto-cério foi sintetizado em diferentes proporções (1:1 a 5:1 de Bi:Ce) em estrutura cristalina de silenita a partir da rota sol-gel/combustão e calcinado a 650° C, posteriormente, resfriado de forma natural. O material foi submetido à caracterização estrutural através da Difratometria por Raios-X (DRX), juntamente com o refinamento Rietveld, para análise das fases formadas. Os materiais resultantes foram prensados a 5 MPa em prensa hidráulica com matriz cilíndrica por aproximadamente 1 h. A caracterização dielétrica do material foi realizada para frequências de 1,0 a 8,5 GHz. A validação dos materiais para aplicação em dispositivos deu-se com a simulação e construção de antenas de microfitas do tipo circular, estas ressoando em frequências entre 6,5 e 8,5 GHz. As medições apresentaram boa concordância com as antenas simuladas, com erro máximo de 1,3% na medida de frequência de ressonância e de 0,074% para coeficientes de reflexão ( , ), em escala linear.